EVGA和华硕顶级的X58主板对决

电源供电设计比拼

作为两款顶级的X58主板，它们的供电设计受人关注，因为供电设计和超频能力息息相关。一旦超频，CPU的TDP必然大幅上升，那么此时供电设计的优劣将在很大程度上决定主板的超频能力。在供电方案上，两款主板的CPU供电设计部分都采用了DPU（数字电源处理器）设计。即我们常说的数字供电设计，更利于超频。

Rampage Ⅲ Black Edition供电设计分析

Rampage Ⅲ Black Edition的CPU供电主控芯片

在用料方面，两款主板的差别很大。CPU核心电源部分，Rampage Ⅲ Black Edition采用了一整套IR（国际整流器）的方案，包括使用CHIL（已经被国际整流器收购）的数字电源控制器，和IR开发的DirectFET封装形式的MOSFET，共计8相回路。每相供电搭配四个采用“上二下二”组成方式的MOSFET，共计采用32个MOSFET。这种多相供电回路和每相回路搭配四个MOSFET的设计，可以降低通过每相回路的电流，提升稳定性并降低整个供电模块的温度，更利于超频。

X58 Classified 4-Way SLI的CPU供电主控芯片

采用DirectFET封装形式的MOSFET没有引脚，采用直接芯片粘贴，没有线压焊或者引线框，大大降低了封装感抗和封装阻抗。与目前主流的SO-8封装形式的MOSFET（常用于一些高端主板和显卡）相比，DirectFET的封装阻抗减少了90%以上，而封装电感也从SO-8的2nH减到了0.5nH，寄生效应明显减弱。同时这种MOSFET的封装和结构，使它具有导通电阻小，热阻抗小等特点,大大降低了发热量。