EVGA和华硕顶级的X58主板对决

在电感方面，该主板则采用了封闭式的铁素体电感，能保证通过更大的电流，防止电流声及减弱电磁效应。在电容方面，它在使用高品质固态电容的同时，还使用了在主板上少见的NEC法拉电容（也叫做去耦电容，在一些高端DirectX 11显卡上能看到它的影子）。法拉电容的容量比通常的电容器大得多，正因为这个特点使得其和电池类似，因此也被成为“电容电池”。此外，它还具备充电速度快、重复使用时间长等特点，相当于给CPU准备了一块充电电池，对供电质量的提升帮助很大。

CHIL数字电源方案

Rampage Ⅲ Black Edition除了具备豪华的CPU核心供电设计，CPU VTT电源、北桥电源和内存电源均采用了三相供电，都采用了体积较小的贴片电感。CPU VTT的每相电源由一个贴片电感+两个DirectFET封装形式的的MOSFET组成。北桥电源和内存电源的每相电源则由一个贴片电感+两个LFPAK封装形式的的MOSFET组成（性能也非常好，介于DirectFET和TO252之间）。不仅如此，CPU VTT电源和内存电源都分别搭配了一颗NEC法拉电容。整体而言，Rampage Ⅲ Black Edition的电源在用料上可谓极其奢侈，为超频及满负载运行提供了强有力的保证。同时，该主板还具备华硕EPU（Energy Processsing Unit电量处理单元）技术，能够实现动态节能。它可以在CPU功耗低的时候减少工作相数，以达到节能的目的。

X58 Classified 4-Way SLI供电设计分析

虽然同样是采用了DPU方案，但X58 Classified 4-Way SLI和Rampage Ⅲ Black Edition的细节设计却有很大的区别。CPU电源部分，X58 Classified 4-Way SLI采用了Volterra的顶级10相DPU电源方案（常见于AMD顶级显卡上）。整个供电方案的PWM芯片为VT1185MF，使用了两个Cooperet Bussmann的多相贴片CPL-5-50排感，以及10颗功能强大、名为VT1185SF的MOSFET。该MOSFET集成了MOSFET控制IC和上下桥MOSFET，类似于部分微星主板所采用的DrMOS。

和Rampage Ⅲ Black Edition一样，该主板也配备了NEC法拉电容，提升主板的稳定性。在CPU VTT电源和内存电源方面，该主板同样也采用了三相供电。它所使用的WDFN8封装形式的MOSFET和密封式的铁素体电感也都是优质料件。不过这两个部分并未像CPU电源部分那样，配备NEC法拉电容。北桥电源方面，它采用了单相供电，同时使用较为低级的TO252封装形式的MOSFET。

顶级的Volterra10相DPU电源方案

我们不妨对该主板的CPU电源设计作如下总结：核心零件全部采用贴片原件，大大减少零件的寄生效应。在减小零件所占空间的同时，还能更好地优化电源质量，可使CPU工作在稳定的状态之下；相对传统的模拟供电方式，电压不稳定及信号受干扰的情况将大幅减小，可使电源更好地工作在各种频率负载之下，为超频提供有力的保证；减少了插件电容的使用，可避免长期在高温下运作导致电容爆浆的风险。

客观地说，两款主板的CPU电源部分都是非常优秀的，都使用了DPU数字供电方式，引入了NEC法拉电容。相比传统的模拟供电设计，在性能上明显更强。只是在料件的选用上，各有千秋。因此，单纯从CPU电源角度的比较来看，两款主板只能算各有胜负，打个平手。只不过，Rampage Ⅲ Black Edition明显更全面一点，在CPU VTT、北桥以及内存部分的电源设计上，丝毫不含糊。而X58 Classified 4-Way SLI则有点虎头蛇尾的感觉，在CPU VTT、北桥以及内存部分的电源设计上明显不如CPU电源部分给力。因此综合来看，在供电设计的比拼中，Rampage Ⅲ Black Edition更具优势。

优势方：Rampage Ⅲ Black Edition