三星20nm NAND内存卡进入试产阶段
2010-04-19小烈MCPLive.cn
一直作为NAND产品的开路先锋者，三星电子近日正式发布了基于20nm NAND闪存芯片的SD卡。根据韩国公司公布的消息来看，20nm MLC (multi-level cell) NAND比起30nm NAND提高了50%的生产率，除了稳定性能不变，还提供10MB/s的读写速度。
据悉，三星目前正在试产32Gb 20nm NAND的SD卡，预计快会于今年年底正式量产，未来三星会提供4GB~64GB容量不等的20nm NAND SD存储卡。
